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EVG6200 NT掩模對準(zhǔn)光刻系統(tǒng)

簡要描述:EVG6200 NT掩模對準(zhǔn)光刻系統(tǒng) 特色:EVG ® 6200 NT掩模對準(zhǔn)器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達(dá)200毫米。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
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  • 更新時間:2024-11-09
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詳細(xì)介紹

EVG6200 NT掩模對準(zhǔn)光刻系統(tǒng)

特色:EVG  6200 NT掩模對準(zhǔn)器為光學(xué)雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達(dá)200毫米。

技術(shù)數(shù)據(jù):EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在小的占位面積上提供先進(jìn)的掩模對準(zhǔn)技術(shù),并具有高的產(chǎn)能,先進(jìn)的對準(zhǔn)功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,短的掩模和工具更換時間以及高效的球服務(wù)和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或*安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能,可在廣泛的應(yīng)用中實現(xiàn)出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導(dǎo)體)的加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。

EVG6200 NT掩模對準(zhǔn)光刻系統(tǒng)
EVG6200 NT特征:

晶圓/基板尺寸從小到200 mm / 8''

系統(tǒng)設(shè)計支持光刻工藝的多功能性

在一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH,在自動對準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH

易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補(bǔ)償序列

自動原點功能,用于對準(zhǔn)鍵的確居中

具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準(zhǔn)功能

支持新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)

自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能

可以從半自動版本升級到全自動版本

小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言)

先進(jìn)的軟件功能以及研發(fā)與全面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性

臺式或帶防震花崗巖臺的單機(jī)版


EVG6200 NT附加功能:

鍵對準(zhǔn)

紅外對準(zhǔn)

納米壓印光刻(NIL)


EVG6200 NT技術(shù)數(shù)據(jù):

曝光源

汞光源/紫外線LED光源

先進(jìn)的對準(zhǔn)功能

手動對準(zhǔn)/原位對準(zhǔn)驗證

自動對準(zhǔn)

動態(tài)對準(zhǔn)/自動邊緣對準(zhǔn)

對準(zhǔn)偏移校正算法


EVG6200 NT產(chǎn)能:

全自動:一批生產(chǎn)量:每小時180片

全自動:吞吐量對準(zhǔn):每小時140片晶圓

晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)200毫米


對準(zhǔn)方式:

上側(cè)對準(zhǔn):≤±0.5 µm

底側(cè)對準(zhǔn):≤±1,0 µm

紅外校準(zhǔn):≤±2,0 µm /具體取決于基板材料

鍵對準(zhǔn):≤±2,0 µm

NIL對準(zhǔn):≤±3.0 µm

曝光設(shè)定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補(bǔ)償:全自動軟件控制

曝光選項:間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

系統(tǒng)控制

操作系統(tǒng):Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數(shù)

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR

實時遠(yuǎn)程訪問,診斷和故障排除

工業(yè)自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術(shù):SmartNIL


 

 

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